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處理的光刻過程中，每次曝光時掩模的圖案與光刻膠面上的圖案要精確的對準套合，這就像套色彩印一樣，否則就會使圖形移位，導致光刻精度降低甚至失敗。④曝光過程中入射光線在掩模邊緣的衍射和反射，在襯底表面的反射和散射都將導致分辨率的降低。⑤光刻膠膜中存在的雜質微粒和針孔都將使曝光光線產生衍射和散射，使光刻精度降低。⑥掩模板本身的精度和質小型噴霧干燥機量當然也直接影響和限制了光刻圖形的精度和質量�！ ∵M行曝光的方式主要有接觸式曝光、接近式曝光、等倍折射式曝光、縮小投影曝光、等倍全
反射式曝光等。其中接觸式曝光是用得最早和最廣泛的一種曝光，即用一塊掩模直接覆蓋在光刻膠層面上，兩者緊密接觸，然后進行曝光。這種方法設備簡單，得到的圖形尺寸變換差最小，分辨率高，對曝光面積大小沒有太大限制。但因掩模與光刻膠面直接緊密接觸。因反復使用造成的機械磨損較大，使后來的圖形精度下降，掩模本身的使用壽命較短，對光刻膠膜的平整性和強度要求也較高。接近式曝光則是從接觸式曝光發展而來的，曝光時掩模不與光刻膠面直接接觸，而是相隔一個很近的距離并保持平行，然后利用高度平行的光線進行曝光。這種接近式曝光解決了因掩模板與光刻膠面緊貼而造成的磨損和玷污，提高了掩模的使用壽命，但圖像的分辨率和精度亦比接觸式曝光有所降低。這兩種曝光方式都是使照射光通過掩模后直
接照射在光刻膠層面上的，而其余的幾種曝光方式則是依靠光學系統，把掩模上的圖案造成像，再把這個像投影到光刻膠膜上，使之曝光的。因而前兩者成為非成像曝光方式，后面幾種稱為成像曝光方式�！ ∑毓馑玫墓庠矗壳皬V泛使用的仍是可見光和紫外光。但隨光刻精度要求的不斷提高，為克服照射光本身的衍射、反射等造成的缺點，人們正在研究開發應用遠紫外光、Ｘ射線、電子束、離子束等作為曝光用的光源。 �。担@影 經曝光后，光致抗蝕劑層中一部分發生了光交聯或光降解，因而使其溶解性發生了變化。選擇適當的溶劑，把光刻膠層中可溶性部分溶解掉，使不溶性部分保留下來，這就在光刻膠層上顯示出了與掩模相應的圖案，或者說把掩模上的圖案復制到了光致抗蝕劑層上來。這一步就稱為顯影，這是從普通照相術中引用過來的術語。顯影這步的關鍵在于選擇適當的顯影液、顯影溫度和顯影時間。這三個因素是彼此關聯，相互影響的，而且隨光刻膠的種類、特性及膠層的厚度不同應有所改變的，一般需通過條件試驗摸索出來。
顯影以后需進行漂洗，把殘留在膠層表面的顯影液漂洗干凈。良好的漂洗 第二講 光刻技術和光致抗蝕劑３９９ 還能消除在顯影過程中光刻膠的溶脹和形變，從而改善成像的精度。 ６．堅膜 經過顯影后，不溶性的光刻膠部分雖然保留了下來，但由于顯影液的浸泡而變軟，甚至有些溶脹和微小變形，膠層與基材間的粘著力也降低了。因而需要在１８０～２００℃溫度下烘烤３０ｍｉｎ左右，把滲入到膠層中的微量顯影液或水分趕走。使光刻膠層上的圖形恢復原來的尺寸。并使光刻膠本身進一步熱交聯，提高光刻膠本身的強度和耐腐蝕性。同時也改善光刻膠與襯底間的粘著強度。這一步稱為堅膜，也稱為后烘�！ 阅r應注意控制合適的溫度和時間。若堅膜溫度太低，時間過短，則膠膜沒有烘透，膜不堅固，腐蝕時易產生脫膠現象。若堅膜溫度過高，時間過長，膠膜會因熱膨脹而產生翹曲和剝落，腐蝕時亦會造成鉆蝕或脫膠。堅膜最好采用緩慢升溫和自然冷卻的烘烤過程。對于腐蝕時間較長的厚膜刻蝕，可在腐蝕一半后再進行一次堅膜后再腐蝕，以提高膠膜的強度和抗蝕力�！ 。罚g刻 蝕刻又稱腐蝕，是光刻技術中關鍵的一步。
前面所述各步都是為這一步做準備，是為這一步服務的。光刻技術的目的就是要在被加工的襯底材料（如硅片）表面刻制出指定的圖案，以便進行后道加工，而這種刻制工作是通過選擇性腐蝕來進行的，利用光致抗蝕劑的抗腐蝕作用，可以保護襯底材料不受腐蝕。通過前面述及的各步，人們已經在需刻蝕的基片表面的光致抗蝕劑層上成功地制得了特定的圖案�，F在基片表面一部分區域中有光致抗蝕劑保護的，而其余部分則是沒有抗蝕劑保護的。選擇某種合適的腐蝕劑，能腐蝕基片材料，但對抗蝕劑不起作用，把經顯影、堅膜后的基片置于這種腐蝕液中，就可實現選擇性的腐蝕，把抗蝕劑層上的圖案復制到基片上。這一步就稱為蝕刻�！ 「g的關鍵首先在于選擇合適的腐蝕劑。腐蝕劑必須能對被蝕刻材料進行腐蝕，但對抗蝕劑不起作用。這是最基本的必要
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